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LCR電橋測量基礎知識|蘇州儀器網

LCR電橋測量基礎知識

LCR電橋測量基礎知識

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LCR電橋是精密測量電阻或其他模擬量的一種有效的方法。本文介紹了如何實現具有較大信號輸出的硅應變計與模數轉換器(ADC)的接口,特別是Σ-Δ ADC,當使用硅應變計時,它是一種實現壓力變送器的低成本方案

硅應變計

1硅應變計的優點在于高靈敏度,它通過感應由應力引發的硅材料體電阻變化來檢測壓力。相比于金屬箔或粘貼絲式應變計,其輸出通常要大一個數量級。這種 硅應變計的輸出信號較大,可以與較廉價的電子器件配套使用。但是,這些小而脆器件的安裝和連線非常困難,因而增加了成本,限制了它們在粘貼式應變計應用中 的使用。


2不過,用MEMS工藝制作的硅壓力傳感器卻克服了這些弊病。這種MEMS壓力傳感器采用了標準的半導體工藝和特殊的蝕刻技術。這種特殊的蝕刻技術可 選擇性地從晶圓的背面除去一部分硅,從而生成由堅固的硅邊框包圍的、數以百計的方形薄膜。而在晶圓的正面,每一個小薄膜的每個邊上都植入了一個壓敏電阻, 用金屬線把小薄片周邊的四個電阻連接起來就形成一個惠斯登電橋。*后,使用鉆石鋸從晶圓上鋸下各個傳感器。這時,硅傳感器已經初具形態,但還需要配備壓力 端口和連接引線方可使用。這些小傳感器便宜而且相對可靠,但受溫度變化影響較大,而且初始偏移和靈敏度的偏差很大。  

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壓力傳感器實例

1在此給出一個壓力傳感器的實例,其所涉及的原理適用于任何使用類似電橋的傳感器。公式1給出了一個原始的壓力傳感器的輸出模型。其中,VOUT在給定壓力P下具有很寬的變化范圍,不同傳感器在同一溫度下,或者同一傳感器在不同溫度下,其VOUT 有所不同。因此要提供一個一致的、有意義的輸出,每個傳感器都必須進行校正,以補償器件之間的差異和溫度漂移。長期以來,校準都是通過模擬電路進行的。然 而,現代電子學的進展使得數字校準比模擬校準更具成本效益,而且其準確性也更好。此外,利用一些模擬技術“竅門”,可以在不犧牲精度的前提下簡化數字校準。


 VOUT=VB(PS0(1+S1(T-T0))+U0+U1(T-T0)) 1

 

2.、式中,VOUT為電橋輸出,VB是電橋的激勵電壓,P是外加壓力,T0是參考溫度,S0T0溫度下的靈敏度,S1是靈敏度的溫度系數(TCS)U0是在無壓力情況下電橋在溫度T0時的輸出偏移量(或失衡),而U1則是偏移量的溫度系數(OTC)。公式(1)使用一次多項公式來對傳感器進行建模,而有些應用場合可能會用到高次多項公式、分段線性技術或者分段二次逼近模型,并為其中的系數建立一個查尋表。無論使用哪種模型,數字校準時都要對VOUTVBT進行數字化,同時要采用某種方公式來確定全部系數并進行必要的計算。公式(2)由公式(1)變化所得,從中可清楚地看到,通過數字計算(通常由微控制器(MCU)執行)而輸出**壓力值所需的信息。


P=(VOUT/VB-U0-U1(T-T0))/(S0(1+S1(T-T0))  (2)


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電壓驅動



1 該電路直接測量計算實際壓力所需的變量(激勵電壓、溫度和電橋輸出)

在圖1所示的電路中,一個高精度ADC先對VOUT (AIN1/AIN2)、溫度(AIN3/AIN4)VB (AIN5/AIN6)進行數字化,這些測量值隨后被傳送到MCU,在那里轉換成實際的壓力。電橋直接由電源驅動,電源同時也為ADC、電壓基準源和MCU供電。電阻公式溫度檢測器Rt用來測量溫度,ADC內的輸入復用器同時測量電橋、RTD和電源電壓。為確定校準系數,整個系統(或至少是RTD和電橋)被放到恒溫箱里,在多個不同溫度下進行測量。測量數據通過測試系統進行處理,以確定校準系數,*終的系數被下載到MCU并存儲到非易失性存儲器中。

設計該電路時主要考慮的是動態范圍和ADC的分辨率,*低要求取決于具體應用和所選的傳感器和RTD的參數。 在本例中,傳感器的具體參數如下。

系統規格

滿量程壓力:100psi

壓力分辨率:0.05psi

溫度范圍:-40+85

電源電壓:4.755.25V

壓力傳感器規格

S0 (靈敏度): 150300μV/V/psi

S1(靈敏度的溫度系數): *大為-2500×10-6/

U0 (偏移): -3+3mV/V

U1 (偏移的溫度系數): -15+15μV/V/

RB (輸入電阻): 4.5kΩ

TCR (電阻溫度系數): 1200×10-6/

RTD: PT100

o α: 3850×10-6/ 

o -40℃時的阻值: 84.27Ω

o 0℃時阻值: 100Ω

o 85℃時阻值: 132.80Ω

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